sat最难的三个模块-sat有多难
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1、npt模块?
NPT(非传统型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注入发射区代替高复杂、高成本的厚层高阻外延,可降低生产成本25%左右,耐压越高成本差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可*性nbsp;
西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。
应该是 P系列NPT型IGBT模块。
P系列NPTnbsp;-nbsp;IGBT模块的VCE(sat)与温度成正比,易于并联。
nbsp; nbsp; nbsp; 在P系列NPT型IGBT模块中,尤其是1400V模块比Pr型IGBT有更大的安全工作区,反偏安全工作区(nbsp;RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其nbsp;RBSOA可达额定电流的2倍,SCSOA可达额定电流的10倍。因此,吸收电路可大大地简化,同时,短路承受能力也大大提高。
nbsp; nbsp; nbsp; 低损耗、软开关,P系列NPT型IGBT模块的dv/dt只有普通模块的1/2,大大降低了EMI(电兼干扰)的噪声。
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