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1. IGBT静态参数有哪些

1、IGBT静态参数有哪些

静态参数：饱和压降（VCEsat）1~3V，主极漏流（ICESS） 1~7mA，门槛电压（VGEth） 3~6V，门极漏流（VGESS）100~400nA，续流二极管压降（VF） 1~3V。

IGBT的主要参数集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。

设置参数：在IGBT模型上，你可以看到一些参数，例如开启电压（Ut）、最大栅射极电压（BUges）、通态压降（Uce）、集电极连续电流（Ic）和峰值电流（Icp）等。你可以根据实际需要设置这些参数。

IGBT的静态传输特性描述集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的相互关系，UGE低于开启电压UGE（th）时，IGBT处于关断状态；当UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT开始导通，Ic与UGE基本是线性关系。

静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。

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